IPB06N03LB G характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	OptiMOS™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	D?PAK (TO-263AB)
Рассеивание мощности (Макс)	83W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.3 mOhm @ 50A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 40µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2782pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Infineon Technologies
Серия	OptiMOS™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	D?PAK (TO-263AB)
Рассеивание мощности (Макс)	83W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.3 mOhm @ 50A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 40µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2782pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

IPB06N03LB G

IPB06N03LB G характеристики